IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPL60R065C7AUMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET HIGH POWER_NEW |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $10.16 |
10+ | $9.182 |
100+ | $7.6021 |
500+ | $6.6198 |
1000+ | $5.7656 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-VSON-4-1 |
Serie | CoolMOS™ C7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 15.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 180W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 4-PowerTSFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 400 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 29A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPL60R065 |
IPL60R065C7AUMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPL60R065C7AUMA1 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON
Infineon VSON4
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MOSFET N CH
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPL60R065C7AUMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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